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纳微半导体CTO登场:介绍氮化镓技术

2021-09-16 15:11:12 小亿 438

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氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体公司宣布,联合创始人兼首席运营官/首席技术官Dan Kinzer在SEMICON Taiwan 2021的功率和光电半导体线上论坛上分享下一代氮化镓(GaN)最具影响力的创新。


氮化镓(GaN)是下一代半导体技术,它的器件开关速度比传统硅器件快20倍。在充电器尺寸和重量减半的情况下,相比传统硅充电器,可实现高达3倍的功率或3倍的充电速度。纳微半导体的GaNFast™功率芯片集成了GaN电源和驱动、保护和控制,提供简单、小型、快速和高效的性能表现。氮化镓功率芯片在旗舰手机充电器中占主导地位,并被电动汽车和太阳能微逆变器公司视为更高功率系统的下一代解决方案。到2026年,氮化镓功率芯片将有望占领估计为131亿美元的潜在市场。


氮化镓代表了电力电子领域的第二次革命,这将会是40年一遇的颠覆式转变。


“氮化镓,Electrify Our World™”深入介绍了氮化镓半导体的最新发展,包括提供更好性能、更高功率密度和简化设计的集成式氮化镓功率芯片。


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