随着中国芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品有什么区别？本文我们就做一些比对；帮助大家清晰的了解GaN产品。 

1．从氮化镓GaN产品的名称上对比

如下图所示，产品GaN标示图。纳微：GaNFast™ Power ICs 是GaN 功率IC，而英诺赛科： E-Mode GaN FET 是GaN 功率管；

2.从氮化镓GaN产品结构上对比

如下图所示，纳微GaN产品结构，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit；电容电阻和LV GaNFET组成内部电路；而英诺赛科 GaN产品 对应与纳微GaN器件中的 HV GaNFET部分；

                           纳微GaN 组成部分                                                                 英诺赛科GaN产品

3.其氮化镓GaN产品特点

纳微GaN产品为单片集成GaN 功率IC；GaNFET IC集成了： GaN FET (650V； Rds：110-560 mΩ) ＋ GaN 驱动器＋GaN 逻辑电路，如下图；

纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品都属于E-Mode方式；

 纳微GaN产品型号：NV6113、NV6115、NV6117、NV6125、NV6127、NV6252

 英诺赛科GaN产品型号：INN650D01、INN650D02

4. 氮化镓GaN产品参数对比

如下表所示，英诺赛科GaN产品型号INN650D02 对标 纳微GaN产品型号NV6125；其内阻和Qoss，Coss电容值都比较接近；封装上略大一些；

5.氮化镓GaN产品应用电路

5.1 从上内容可以看，由于英诺赛科GaN产品是： E-Mode GaN FET，查看其规格书参数；

英诺赛科的GaN产品的Vgs开通阈值电压为1.7V，建议的驱动电压为5.5V-6.5V，通常选取的电压为6V。

通常使用控制IC，需要将控制输出电压转换为6V，英诺赛科GaN产品需要外部驱动转换电路；

有两种方式转换：

（5.1.1） 使用电阻电容分压电路

以QR电路结构，控制芯片NCP1342应用电路；NCP1342 DRV高电平输出（12V） R3、R4、C1构成的分压电路，Cgs电容较小，很快被充电至Vgsth值，C1电容值推荐680pF至1nF之间。

（5.1.2） 使用驱动IC 

以QR电路结构，控制芯片NCP1342应用电路；驱动IC FAN3111E;需要VCC1通过稳压电路到VCC2 给FAN3111E供电；当VCC2值设置为6V时，输出电压也为6V，输出信号IN+电压值不能超过VCC2值，需要R5/R7进行分压。C4的工作是减小由于输入端寄生电容导致的驱动信号失真。

5.2 纳微GaN应用电路图，由于内置驱动电路，所以外围简洁

实际应用电路图PCB 部分截图所示；

以QR电路结构，控制芯片NCP1342应用电路；纳微产品内部集成了驱动电路，将NCP1342输出PWM信号转换成内部驱动GaN FET的驱动信号。外围器件数量少，设计简单；

6.氮化镓GaN产品应用电路BOM列表对比

从下表中可以看到各产品外围应用电路元器件个数；

7.氮化镓GaN产品应用电路的优劣势

 9.氮化镓GaN产品 驱动电路外置和内置的区别

亿思腾达简介：

深圳亿思腾达集成股份有限公司成立于1998年，作为国家高新技术企业&中国电源与传感芯片集成服务商，专注电源管理和传感芯片集成服务20年，立足于多种自主研发的智能传感方案、特色照明方案，提供量产落地支持、核心器件供应、特色模组供应等商务模式，力求为客户提供优质全面的IC解决方案，帮助人们创造安全、节能、美好的高科技产品，实现亿思腾达让电子产品AI起来。