设计GaN氮化镓 PD充电器产品，首先需要评估产品空间，根据空间大小，计算空间内功率密度。

从目前市面上的GaN充电器电路架构综合分为：ACF 和QR；部分客户只是考虑电路成本，选择QR架构是比ACF便宜不少，而忽略了产品结构空间，功率密度带来的发热问题。如小米的65W GaN充电器采用了ACF架构，倍思是采用了QR架构。

ACF架构比QR架构整体效率高 1-2个点。不要小看这个1-2个点的效率。在空间结构中转换成热量，QR架构分分钟跑到100 度去了；

本文推荐 采用NV6115/17基于有源箝位反激（ACF）设计USB－PD 充电器产品；NV6115和NV6117分别为650V 160 mΩ和110 mΩ eMode GaN功率集成电路，带有iDriveTM集成驱动级，每只需要一个低电流数字输入。

该应用电路尺寸（51 x 43 x 20.5毫米外壳）和突破性的功率密度（1.5 W/CM3）。

AC 85-265V 输入，开关频率可在140-490 kHz范围内调节。该设计完全符合欧洲CoC Tier 2和美国DoE六级效率标准，此外在满负荷时达到超过94%的峰值效率。

如果你有氮化镓方案、氮化镓功率IC及氮化镓充电产品等需求，请联系我们：0755-83481303

亿思腾达简介：

深圳亿思腾达集成股份有限公司成立于1998年，作为国家高新技术企业&中国电源与传感芯片集成服务商，专注电源管理和传感芯片集成服务20年，立足于多种自主研发的智能传感方案、特色照明方案，提供量产落地支持、核心器件供应、特色模组供应等商务模式，力求为客户提供优质全面的IC解决方案，帮助人们创造安全、节能、美好的高科技产品，实现亿思腾达让电子产品AI起来。